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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-251A |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 1.3A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 125W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Autres noms: | 785-1648-5 |
Température de fonctionnement: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | AOI4C60 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 910pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 600V 4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251A |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
La description: | MOSFET N-CH 600V 4A TO-252 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |