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AOB25S65L
- Modèle de produit:
- AOB25S65L
- Fabricant:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 25A TO263
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15166 Pieces
- Fiche technique:
- 1.AOB25S65L.pdf2.AOB25S65L.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-263 (D²Pak) |
| Séries: | aMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 357W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | AOB25S65L-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | AOB25S65L |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1278pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 26.4nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 650V 25A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| La description: | MOSFET N-CH 650V 25A TO263 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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