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AO3460L
- Modèle de produit:
- AO3460L
- Fabricant:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- La description:
- MOSFET N-CH 60V SOT23
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16957 Pieces
- Fiche technique:
- AO3460L.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 Ohm @ 650mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.4W (Ta) |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | AO3460L |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 27pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 60V 650mA (Ta) 1.4W (Ta) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET N-CH 60V SOT23 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 650mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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