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A2T18S160W31GSR3
- Modèle de produit:
- A2T18S160W31GSR3
- Fabricant:
- NXP Semiconductors / Freescale
- La description:
- IC TRANS RF LDMOS
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13394 Pieces
- Fiche technique:
- 1.A2T18S160W31GSR3.pdf2.A2T18S160W31GSR3.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Test: | 28V |
|---|---|
| Tension - Nominale: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Package composant fournisseur: | NI-780GS-2L2LA |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | 32W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | NI-780GS-2L2LA |
| Autres noms: | 935312705128 |
| Noise Figure: | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | A2T18S160W31GSR3 |
| Gain: | 19.9dB |
| La fréquence: | 1.88GHz |
| Description élargie: | RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA |
| La description: | IC TRANS RF LDMOS |
| Note actuelle: | - |
| Courant - Test: | 1A |
| Email: | [email protected] |
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| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
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A2T18S160W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Enquête |
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