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70V657S12DRI
- Modèle de produit:
- 70V657S12DRI
- Fabricant:
- IDT (Integrated Device Technology)
- La description:
- IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 12079 Pieces
- Fiche technique:
- 1.70V657S12DRI.pdf2.70V657S12DRI.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Alimentation: | 3.15 V ~ 3.45 V |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | 208-PQFP (28x28) |
| La vitesse: | 12ns |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 208-BFQFP |
| Autres noms: | 800-2318 IDT70V657S12DRI IDT70V657S12DRI-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 1.125Mb (32K x 36) |
| Format de mémoire: | SRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Référence fabricant: | 70V657S12DRI |
| Interface: | Parallel |
| La description: | IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP |
| Email: | [email protected] |
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