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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | M-A1 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1W (Ta) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | 3-SIP |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 2SK0615 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 45pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 80V 500mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole M-A1 |
| Tension drain-source (Vdss): | 80V |
| La description: | MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |