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2SD2096T114E
- Modèle de produit:
- 2SD2096T114E
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13975 Pieces
- Fiche technique:
- 2SD2096T114E.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 200mA, 2A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | HRT |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.8W |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | HRT |
| Autres noms: | 2SD2096T114ECT |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 2SD2096T114E |
| Fréquence - Transition: | 8MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 8MHz 1.8W Through Hole HRT |
| La description: | TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 500mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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