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2SD1805F-E
- Modèle de produit:
- 2SD1805F-E
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 20V 5A TP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16166 Pieces
- Fiche technique:
- 2SD1805F-E.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 20V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 60mA, 3A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TP |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Référence fabricant: | 2SD1805F-E |
| Fréquence - Transition: | 120MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 120MHz 1W Through Hole TP |
| La description: | TRANS NPN 20V 5A TP |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 160 @ 500mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 5A |
| Email: | [email protected] |
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