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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 10V |
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Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | - |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 200mW |
Emballage: | Cut Strip |
Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Noise Figure (dB Typ @ f): | 1.8dB @ 2GHz |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | 2SC3585-A |
Gain: | 10dB |
Fréquence - Transition: | 10GHz |
Description élargie: | RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount |
La description: | RF TRANSISTOR NPN SOT-23 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 10mA, 6V |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 35mA |
Email: | [email protected] |