2SA2007E
2SA2007E
Modèle de produit:
2SA2007E
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PNP 60V 12A TO220FN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15801 Pieces
Fiche technique:
2SA2007E.pdf

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 400mA, 8A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-220FN
Séries:-
Puissance - Max:25W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:2SA2007E
Fréquence - Transition:80MHz
Description élargie:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 12A 80MHz 25W Through Hole TO-220FN
La description:TRANS PNP 60V 12A TO220FN
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:320 @ 2A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):12A
Email:[email protected]

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