2N7000RLRPG
Modèle de produit:
2N7000RLRPG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17369 Pieces
Fiche technique:
2N7000RLRPG.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-92-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):350mW (Tc)
Emballage:Tape & Box (TB)
Package / Boîte:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:2N7000RLRPG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 60V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Tension drain-source (Vdss):60V
La description:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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