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2N6798U
- Modèle de produit:
- 2N6798U
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 18LCC
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 18716 Pieces
- Fiche technique:
- 2N6798U.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | 18-BQFN Exposed Pad |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 2N6798U |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.29nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| La description: | MOSFET N-CH 200V 18LCC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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