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2N6387G
- Modèle de produit:
- 2N6387G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16573 Pieces
- Fiche technique:
- 2N6387G.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 3V @ 100mA, 10A |
| Transistor Type: | NPN - Darlington |
| Package composant fournisseur: | TO-220AB |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 2W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | 2N6387G-ND 2N6387GOS |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
| Référence fabricant: | 2N6387G |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 2W Through Hole TO-220AB |
| La description: | TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 5A, 3V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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