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2N6341G
- Modèle de produit:
- 2N6341G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 150V 25A TO-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19382 Pieces
- Fiche technique:
- 2N6341G.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 150V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.8V @ 2.5A, 25A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-3 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 200W |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | TO-204AA, TO-3 |
| Autres noms: | 2N6341G-ND 2N6341GOS |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
| Référence fabricant: | 2N6341G |
| Fréquence - Transition: | 40MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 25A 40MHz 200W Through Hole TO-3 |
| La description: | TRANS NPN 150V 25A TO-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 10A, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 25A |
| Email: | [email protected] |
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