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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 3mA, 50mA |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 625mW |
Emballage: | Tape & Box (TB) |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | 2N3417_D74Z |
Fréquence - Transition: | - |
Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3 |
La description: | TRANS NPN 50V 0.5A TO-92 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 180 @ 2mA, 4.5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
Email: | [email protected] |