Acheter 1SS356TW11 avec BYCHPS
Acheter avec garantie
1SS356TW11
- Modèle de produit:
- 1SS356TW11
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13132 Pieces
- Fiche technique:
- 1SS356TW11.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour 1SS356TW11, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour 1SS356TW11 par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Tension - Inverse de crête (max): | 35V |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | UMD2 |
| Séries: | - |
| Résistance @ Si, F: | 900 mOhm @ 2mA, 100MHz |
| Dissipation de puissance (max): | 200mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-90, SOD-323F |
| Autres noms: | 1SS356TW11-ND 1SS356TW11TR |
| Température de fonctionnement: | 125°C (TJ) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | 1SS356TW11 |
| Description élargie: | RF Diode Standard - Single 35V 100mA 200mW UMD2 |
| Type de diode: | Standard - Single |
| La description: | DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR |
| Courant - Max: | 100mA |
| Capacité à Vr, F: | 1.2pF @ 6V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 1SS356TW11
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
1SS355VMTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 | Enquête |
|
1SS355TE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 | Enquête |
 |
BAT6207WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 40V 20MA SOT343 | Enquête |
 |
BAR 67-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 150V 200MA SC-79 | Enquête |
 |
HSMS-285C-BLKG | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-323 | Enquête |
 |
1SS355WTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURPOSE | Enquête |
Latest Nouvelles
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog