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1N8026-GA
- Modèle de produit:
- 1N8026-GA
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 15844 Pieces
- Fiche technique:
- 1N8026-GA.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.6V @ 2.5A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Package composant fournisseur: | TO-257 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-257-3 |
| Autres noms: | 1242-1113 1N8026GA |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 250°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | 1N8026-GA |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A (DC) Through Hole TO-257 |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| La description: | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 10µA @ 1200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 8A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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