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US6X5TR
- Modèle de produit:
- US6X5TR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 12V 2A TUMT6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19473 Pieces
- Fiche technique:
- US6X5TR.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 12V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 180mV @ 50mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TUMT6 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-SMD, Flat Leads |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | US6X5TR |
| Fréquence - Transition: | 360MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 2A 360MHz 1W Surface Mount TUMT6 |
| La description: | TRANS NPN 12V 2A TUMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 270 @ 200mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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