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US6T4TR
- Modèle de produit:
- US6T4TR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS PNP 12V 3A TUMT6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19000 Pieces
- Fiche technique:
- US6T4TR.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 12V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 30mA, 1.5A |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | UMT6 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | US6T4TR |
| Fréquence - Transition: | 280MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 3A 280MHz 1W Surface Mount UMT6 |
| La description: | TRANS PNP 12V 3A TUMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 270 @ 500mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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