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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-TSSOP |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 504mW (Ta) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Autres noms: | TPS1100PWG4 TPS1100PWG4-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Référence fabricant: | TPS1100PW |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.45nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 15V 1.27A (Ta) 504mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
| Tension drain-source (Vdss): | 15V |
| La description: | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.27A (Ta) |
| Email: | [email protected] |