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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 300µA |
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Vgs (Max): | ±18V |
La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur: | PQFN (8x8) |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13A, 8V |
Dissipation de puissance (max): | 96W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | 3-PowerDFN |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
Référence fabricant: | TPH3208LS |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 400V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 8V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
Tension drain-source (Vdss): | 650V |
La description: | GAN FET 650V 20A PQFN88 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |