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TPH3207WS
- Modèle de produit:
- TPH3207WS
- Fabricant:
- Transphorm
- La description:
- GAN FET 650V 50A TO247
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15642 Pieces
- Fiche technique:
- TPH3207WS.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.65V @ 700µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±18V |
| La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 41 mOhm @ 32A, 8V |
| Dissipation de puissance (max): | 178W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
| Référence fabricant: | TPH3207WS |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2197pF @ 400V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 8V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 650V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| La description: | GAN FET 650V 50A TO247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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