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STS19N3LLH6
- Modèle de produit:
- STS19N3LLH6
- Fabricant:
- ST
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12751 Pieces
- Fiche technique:
- STS19N3LLH6.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.7W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | 497-12677-2 STS19N3LLH6-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | STS19N3LLH6 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1690pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 15V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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