STP10N62K3
STP10N62K3
Modèle de produit:
STP10N62K3
Fabricant:
ST
La description:
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19734 Pieces
Fiche technique:
STP10N62K3.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 100µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:750 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max):125W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:497-9099-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:STP10N62K3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 620V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension drain-source (Vdss):620V
La description:MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8.4A (Tc)
Email:[email protected]

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