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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STL8N65M5
STL8N65M5
STL8N65M5
Modèle de produit:
STL8N65M5
Fabricant:
ST
La description:
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19467 Pieces
Fiche technique:
STL8N65M5.pdf
Enquête

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerFLAT™ (5x5)
Séries:MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 70W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:14-PowerVQFN
Autres noms:497-11850-2
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:STL8N65M5
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:690pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 650V 1.4A (Ta), 7A (Tc) 2.5W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (5x5)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
La description:MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.4A (Ta), 7A (Tc)
Email:[email protected]

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