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STL8N10F7
- Modèle de produit:
- STL8N10F7
- Fabricant:
- ST
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13430 Pieces
- Fiche technique:
- STL8N10F7.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Séries: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | 497-14991-2 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | STL8N10F7 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 3.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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