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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STL190N4F7AG
STL190N4F7AG
STL190N4F7AG
Modèle de produit:
STL190N4F7AG
Fabricant:
ST
La description:
POWER TRANSISTORS
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16454 Pieces
Fiche technique:
STL190N4F7AG.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerFlat™ (5x6)
Séries:*
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):127W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:497-16678-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:22 Weeks
Référence fabricant:STL190N4F7AG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 40V 120A (Tc) 127W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):40V
La description:POWER TRANSISTORS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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