STGP30M65DF2
STGP30M65DF2
Modèle de produit:
STGP30M65DF2
Fabricant:
ST
La description:
IGBT 650V 30A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16306 Pieces
Fiche technique:
STGP30M65DF2.pdf

introduction

BYCHIPS est le distributeur de bas pour STGP30M65DF2, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour STGP30M65DF2 par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Acheter STGP30M65DF2 avec BYCHPS
Acheter avec garantie

Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 30A
Condition de test:400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:31.6ns/115ns
énergie de commutation:300µJ (on), 960µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):140ns
Puissance - Max:258W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:497-15841-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:STGP30M65DF2
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:80nC
Description élargie:IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-220
La description:IGBT 650V 30A TO-220AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm):120A
Courant - Collecteur (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes