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SCT2080KEC
- Modèle de produit:
- SCT2080KEC
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19701 Pieces
- Fiche technique:
- SCT2080KEC.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 4.4mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| La technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 117 mOhm @ 10A, 18V |
| Dissipation de puissance (max): | 262W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | SCT2080KEC |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2080pF @ 800V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 106nC @ 18V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 18V |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| La description: | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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