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SCS220AEC
- Modèle de produit:
- SCS220AEC
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- DIODE SILICON 650V 20A TO247
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17585 Pieces
- Fiche technique:
- 1.SCS220AEC.pdf2.SCS220AEC.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.55V @ 20A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 175°C (Max) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
| Référence fabricant: | SCS220AEC |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 20A Through Hole TO-247 |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| La description: | DIODE SILICON 650V 20A TO247 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 400µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 20A |
| Capacité à Vr, F: | 730pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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