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Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±10V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TSMT3 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 1W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SC-96 |
Autres noms: | RZR025P01TLTR |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
Référence fabricant: | RZR025P01TL |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 6V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 12V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 12V |
La description: | MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |