RRL035P03TR
RRL035P03TR
Modèle de produit:
RRL035P03TR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12597 Pieces
Fiche technique:
1.RRL035P03TR.pdf2.RRL035P03TR.pdf3.RRL035P03TR.pdf4.RRL035P03TR.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TUMT6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):320mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-SMD, Flat Leads
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:RRL035P03TR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 30V 3.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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