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RFUH10TF6S
- Modèle de produit:
- RFUH10TF6S
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18299 Pieces
- Fiche technique:
- RFUH10TF6S.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 2.8V @ 10A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | TO-220NFM |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 25ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-220-2 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 150°C (Max) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | RFUH10TF6S |
| Description élargie: | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220NFM |
| Type de diode: | Standard |
| La description: | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 10µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 10A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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