R6004ENDTL
R6004ENDTL
Modèle de produit:
R6004ENDTL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12723 Pieces
Fiche technique:
R6004ENDTL.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:CPT3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:980 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):20W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:R6004ENDTLTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:R6004ENDTL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 4A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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