R5009FNX
R5009FNX
Modèle de produit:
R5009FNX
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16093 Pieces
Fiche technique:
R5009FNX.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220FM
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:840 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):50W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Référence fabricant:R5009FNX
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 500V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
La description:MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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