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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-220AB |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 349W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-220-3 |
Autres noms: | 1727-1056 568-10164-5 568-10164-5-ND 934067499127 PSMN2R560PLQ |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
Référence fabricant: | PSMN2R5-60PLQ |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 223nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 60V 150A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 60V |
La description: | MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 150A (Tc) |
Email: | [email protected] |