MS652S
Modèle de produit:
MS652S
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS RF BIPO 25W 2A M123
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19630 Pieces
Fiche technique:
MS652S.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):16V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:M123
Séries:-
Puissance - Max:25W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:M123
Température de fonctionnement:200°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:MS652S
Gain:10dB
Fréquence - Transition:450MHz ~ 512MHz
Description élargie:RF Transistor NPN 16V 2A 450MHz ~ 512MHz 25W Chassis Mount M123
La description:TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:10 @ 200mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):2A
Email:[email protected]

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