IRFPC50APBF
IRFPC50APBF
Modèle de produit:
IRFPC50APBF
Fabricant:
Vishay / Siliconix
La description:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16445 Pieces
Fiche technique:
IRFPC50APBF.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:580 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):180W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:*IRFPC50APBF
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Référence fabricant:IRFPC50APBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 11A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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