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IRF9953
- Modèle de produit:
- IRF9953
- La description:
- MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 15085 Pieces
- Fiche technique:
- IRF9953.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 250 mOhm @ 1A, 10V |
| Puissance - Max: | 2W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | *IRF9953 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IRF9953 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 190pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| type de FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.3A |
| Email: | [email protected] |
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