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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220AB |
| Séries: | PowerMESH™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 80W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | 497-2733-5 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IRF820 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 315pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 500V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| La description: | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |