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IMZ4T108
- Modèle de produit:
- IMZ4T108
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14692 Pieces
- Fiche technique:
- IMZ4T108.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 32V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA |
| Transistor Type: | NPN, PNP |
| Package composant fournisseur: | SMT6 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 300mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-74, SOT-457 |
| Autres noms: | IMZ4T108-ND IMZ4T108TR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IMZ4T108 |
| Fréquence - Transition: | 250MHz, 200MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 32V 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| La description: | TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 100mA, 3V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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