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FDFMA2P853
- Modèle de produit:
- FDFMA2P853
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12569 Pieces
- Fiche technique:
- FDFMA2P853.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-MicroFET (2x2) |
| Séries: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.4W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | FDFMA2P853FSTR FDFMA2P853TR FDFMA2P853TR-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | FDFMA2P853 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 435pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Description élargie: | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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