EPC2034ENGR - EPC - Transistors - FET, MOSFET - Single EPC2034ENGR

EPC2034ENGR

Modèle de produit:: EPC2034ENGR

Fabricant:: EPC

La description:: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

État sans plomb / État RoHS:: Sans plomb / conforme à la directive RoHS

quantité disponible:: 18215 Pieces

Fiche technique:: EPC2034ENGR.pdf

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 7mA
La technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:	Die
Séries:	eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	10 mOhm @ 20A, 5V
Dissipation de puissance (max):	-
Emballage:	Tray
Package / Boîte:	Die
Autres noms:	917-EPC2034ENGR
Température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):	1 (Unlimited)
Référence fabricant:	EPC2034ENGR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	940pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	8.5nC @ 5V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Description élargie:	N-Channel 200V 31A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss):	200V
La description:	TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	31A (Ta)
Email:	[email protected]

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