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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 12mA |
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Vgs (Max): | +6V, -4V |
La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur: | Die |
Séries: | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 30A, 5V |
Dissipation de puissance (max): | - |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | Die |
Autres noms: | 917-1107-2 |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | EPC2029 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1410pF @ 40V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 80V 48A (Ta) Surface Mount Die |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V |
Tension drain-source (Vdss): | 80V |
La description: | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 48A (Ta) |
Email: | [email protected] |