EPC2019 - EPC - Transistors - FET, MOSFET - Single EPC2019

EPC2019

Modèle de produit:: EPC2019

Fabricant:: EPC

La description:: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE

État sans plomb / État RoHS:: Sans plomb / conforme à la directive RoHS

quantité disponible:: 17089 Pieces

Fiche technique:: EPC2019.pdf

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):	+6V, -4V
La technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:	Die
Séries:	eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	50 mOhm @ 7A, 5V
Dissipation de puissance (max):	-
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	Die
Autres noms:	917-1087-2
Température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:	14 Weeks
Référence fabricant:	EPC2019
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	270pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	2.5nC @ 5V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Description élargie:	N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):	5V
Tension drain-source (Vdss):	200V
La description:	TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	8.5A (Ta)
Email:	[email protected]

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