EPC2016 - EPC - Transistors - FET, MOSFET - Single EPC2016

EPC2016

Modèle de produit:: EPC2016

Fabricant:: EPC

La description:: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

État sans plomb / État RoHS:: Sans plomb / conforme à la directive RoHS

quantité disponible:: 17206 Pieces

Fiche technique:: EPC2016.pdf

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 3mA
La technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:	Die
Séries:	eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	16 mOhm @ 11A, 5V
Dissipation de puissance (max):	-
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	Die
Autres noms:	917-1027-2
Température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):	1 (Unlimited)
Référence fabricant:	EPC2016
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	520pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	5.2nC @ 5V
type de FET:	N-Channel
Fonction FET:	-
Description élargie:	N-Channel 100V 11A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss):	100V
La description:	TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	11A (Ta)
Email:	[email protected]

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