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CSD25202W15
- Modèle de produit:
- CSD25202W15
- Fabricant:
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14267 Pieces
- Fiche technique:
- CSD25202W15.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.05V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | -6V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 9-DSBGA |
| Séries: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 500mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 9-UFBGA, DSBGA |
| Autres noms: | 296-39837-2 CSD25202W15-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Référence fabricant: | CSD25202W15 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1010pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 9-DSBGA |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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