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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD19537Q3
CSD19537Q3
Modèle de produit:
CSD19537Q3
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15877 Pieces
Fiche technique:
CSD19537Q3.pdf
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introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.6V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-VSON (3.3x3.3)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:14.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.8W (Ta), 83W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:296-44351-6
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Référence fabricant:CSD19537Q3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 50A (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A (Ta)
Email:[email protected]

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