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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD19536KTT
CSD19536KTT
Modèle de produit:
CSD19536KTT
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15588 Pieces
Fiche technique:
CSD19536KTT.pdf
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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.2V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DDPAK/TO-263-3
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):375W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):2 (1 Year)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Référence fabricant:CSD19536KTT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:153nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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