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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD19535KTT
CSD19535KTT
Modèle de produit:
CSD19535KTT
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18188 Pieces
Fiche technique:
CSD19535KTT.pdf
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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DDPAK/TO-263-3
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Autres noms:296-45538-6
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):2 (1 Year)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Référence fabricant:CSD19535KTT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7930pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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